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Larga area di eccitazione trasmettitore terahertz antenna fotoconduttore terahertz antenna terahertz
Larga area di eccitazione trasmettitore terahertz antenna fotoconduttore terahertz antenna terahertz
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Prodotti

EfficienzaAltoLe fonti di radiazione a terahertz hanno un impatto molto importante su una serie di applicazioni scientifiche e tecnologiche a terahertz, un aspetto importante è l'ampia larghezza di banda e l'alta intensità del campo elettrico. Questo dipende spesso da fonti di radiazione con grandi aree di eccitazione, che richiedono un'eccitazione ad alta tensione di bias (fino a diverse centinaia di V) per raggiungere l'intensità del campo elettrico THz di KV / cm. Il trasmettitore terahertz a grande area di eccitazione lanciato da Yiyue Photoelectric di Shanghai è un'antenna fotoconduttiva ad alta efficienza con una grande superficie di eccitazione che richiede solo una bassa tensione di bias.

ProdottiCaratteristiche

√ Grande area di eccitazione

√ Bassa tensione di bias esterno

√ Non è necessario un dispositivo di raffreddamento esterno

√ Disegno di imballaggio super integrato

Specifiche tecniche

Tera-SED lanciata da Yiyue Photoelectric di Shanghai è un'antenna fotoconduttiva a terahertz ad alta efficienza basata su LT-GaAs. Offriamo due versioni diverse di antenne fotoconduttive a grande area di eccitazione: l'antenna con area di eccitazione 10mm * 10mm è adatta a sistemi laser femtosecondi ad amplificazione (l'energia di un singolo impulso può arrivare fino a 300uJ); La versione 3mm * 3mm dell'antenna fotoconduttore è adatta per laser femtosecondi di livello oscillativo.

La figura a sinistra rappresenta lo schema di principio della radiazione THz stimolata da Tera-SED, mentre la figura a destra rappresenta i dati spettrali dei test sperimentali (potenza della pompa 0,7 nJ, risultati della rilevazione dei cristalli GaP)

Picco dello spettro 1THz-1.5THz
Larghezza dello spettro (@-10dB) ~2.5THz
Massima densità di potenza di eccitazione ottica 8W/mm2
Potenza di stimolazione massima 650mW
Lunghezza d'onda di stimolazione 700-850nm
Dimensioni 1 pollice di diametro esterno
Intensità dell'impulso a terahertz Fino a 5KV/cm
Tensione di bias
10-30V
Frequenza di modulazione della tensione di bias DC-100KHz
Rapporto di occupazione 5%-100%

Capacità di radiazione terahertz


Tensione di bias Vbias Rapporto di occupazione Intensità del campo elettrico THz
Tera-SED3
up to 10V CW 100V/cm (@10V)
10-20V 50% 200V/cm (@20V)
30V
10% 300V/cm
Tera-SED10
up to 5V CW 1000V/cm(@5V)
5-20V 50% 2000V/cm(@20V)
25V
5% 5000V/cm


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